Valmistaja :
Diodes Incorporated
Kuvaus :
MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
250mA (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3 Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
0.22nC @ 4.5V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
50pF @ 25V
Tehon hajautus (max) :
370mW (Ta)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
SOT-23-3
Paketti / asia :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3