Vishay Siliconix - SI6993DQ-T1-GE3

KEY Part #: K6524075

[3953kpl varastossa]


    Osa numero:
    SI6993DQ-T1-GE3
    Valmistaja:
    Vishay Siliconix
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-TSSOP.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Diodit - RF, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset and Tehonohjaimen moduulit ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in Vishay Siliconix SI6993DQ-T1-GE3 electronic components. SI6993DQ-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI6993DQ-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI6993DQ-T1-GE3 Tuoteominaisuudet

    Osa numero : SI6993DQ-T1-GE3
    Valmistaja : Vishay Siliconix
    Kuvaus : MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-TSSOP
    Sarja : TrenchFET®
    Osan tila : Obsolete
    FET-tyyppi : 2 P-Channel (Dual)
    FET-ominaisuus : Logic Level Gate
    Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 30V
    Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 3.6A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 31 mOhm @ 4.7A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 4.5V
    Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : -
    Teho - Max : 830mW
    Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Asennustyyppi : Surface Mount
    Paketti / asia : 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
    Toimittajalaitteen paketti : 8-TSSOP

    Saatat myös olla kiinnostunut