Osa numero :
SPD08N50C3BTMA1
Valmistaja :
Infineon Technologies
Kuvaus :
MOSFET N-CH 560V 7.6A DPAK
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
560V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
7.6A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
600 mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.9V @ 350µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
32nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
750pF @ 25V
Tehon hajautus (max) :
83W (Tc)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
PG-TO252-3
Paketti / asia :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63