Vishay Siliconix - IRFBE30LPBF

KEY Part #: K6399531

IRFBE30LPBF Hinnoittelu (USD) [28953kpl varastossa]

  • 1 pcs$1.38380
  • 10 pcs$1.24894
  • 100 pcs$0.95201
  • 500 pcs$0.74046
  • 1,000 pcs$0.61352

Osa numero:
IRFBE30LPBF
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Tiristorit - SCR-moduulit, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Tiristorit - SCR: t and Transistorit - erityistarkoitus ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Siliconix IRFBE30LPBF electronic components. IRFBE30LPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFBE30LPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFBE30LPBF Tuoteominaisuudet

Osa numero : IRFBE30LPBF
Valmistaja : Vishay Siliconix
Kuvaus : MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
Sarja : -
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 800V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 4.1A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 78nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 1300pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 125W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Through Hole
Toimittajalaitteen paketti : I2PAK
Paketti / asia : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Saatat myös olla kiinnostunut
  • VN2210N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3.

  • TN0110N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3.

  • ZVP0545A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3.

  • TN2540N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.175A TO92-3.

  • VN0300L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 30V 640MA TO92-3.

  • TP0606N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3.