Infineon Technologies - BSC018NE2LSATMA1

KEY Part #: K6420154

BSC018NE2LSATMA1 Hinnoittelu (USD) [164965kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.22421
  • 5,000 pcs$0.21525

Osa numero:
BSC018NE2LSATMA1
Valmistaja:
Infineon Technologies
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - sillan tasasuuntaajat, Diodit - RF, Transistorit - erityistarkoitus, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Tehonohjaimen moduulit and Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var ...
Kilpailuetu:
We specialize in Infineon Technologies BSC018NE2LSATMA1 electronic components. BSC018NE2LSATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC018NE2LSATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC018NE2LSATMA1 Tuoteominaisuudet

Osa numero : BSC018NE2LSATMA1
Valmistaja : Infineon Technologies
Kuvaus : MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
Sarja : OptiMOS™
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 25V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 29A (Ta), 100A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 39nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 2800pF @ 12V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : PG-TDSON-8
Paketti / asia : 8-PowerTDFN

Saatat myös olla kiinnostunut
  • TK15S04N1L,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 40V 15A DPAK.

  • AUIRFR120Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK.

  • IRLR3103TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 55A DPAK.

  • AUIRLR024NTRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRFR3711TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 20V 100A DPAK.

  • TK6P53D(T6RSS-Q)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 525V 6A DPAK-3.