Renesas Electronics America - RJK1056DPB-00#J5

KEY Part #: K6393888

RJK1056DPB-00#J5 Hinnoittelu (USD) [83500kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.49919
  • 2,500 pcs$0.49670

Osa numero:
RJK1056DPB-00#J5
Valmistaja:
Renesas Electronics America
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Tiristorit - TRIACit, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Tiristorit - SCR-moduulit and Diodit - Zener - Single ...
Kilpailuetu:
We specialize in Renesas Electronics America RJK1056DPB-00#J5 electronic components. RJK1056DPB-00#J5 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RJK1056DPB-00#J5, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RJK1056DPB-00#J5 Tuoteominaisuudet

Osa numero : RJK1056DPB-00#J5
Valmistaja : Renesas Electronics America
Kuvaus : MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK
Sarja : -
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 25A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 41nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 3000pF @ 10V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 65W (Tc)
Käyttölämpötila : 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : LFPAK
Paketti / asia : SC-100, SOT-669

Saatat myös olla kiinnostunut