Infineon Technologies - IRFR3707TRPBF

KEY Part #: K6411578

[13742kpl varastossa]


    Osa numero:
    IRFR3707TRPBF
    Valmistaja:
    Infineon Technologies
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    MOSFET N-CH 30V 61A DPAK.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - TRIACit, Tiristorit - SCR: t, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Diodit - Zener - Single, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen and Transistorit - FETit, MOSFETit - Single ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in Infineon Technologies IRFR3707TRPBF electronic components. IRFR3707TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR3707TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFR3707TRPBF Tuoteominaisuudet

    Osa numero : IRFR3707TRPBF
    Valmistaja : Infineon Technologies
    Kuvaus : MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
    Sarja : HEXFET®
    Osan tila : Obsolete
    FET-tyyppi : N-Channel
    tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
    Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 30V
    Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 61A (Tc)
    Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13 mOhm @ 15A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 19nC @ 4.5V
    Vgs (Max) : ±20V
    Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 1990pF @ 15V
    FET-ominaisuus : -
    Tehon hajautus (max) : 87W (Tc)
    Käyttölämpötila : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Asennustyyppi : Surface Mount
    Toimittajalaitteen paketti : D-Pak
    Paketti / asia : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    Saatat myös olla kiinnostunut
    • ZVP2106ASTZ

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 60V 0.28A TO92-3.

    • IRFR2405TRRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 56A DPAK.

    • IRFR13N20DPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 200V 13A DPAK.

    • IRFR1205TRRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 44A DPAK.

    • IRFR120NPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK.

    • IRFR1205PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 44A DPAK.