Valmistaja :
Vishay Siliconix
Kuvaus :
MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
1.7A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
200 mOhm @ 1A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
8.4nC @ 5V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
400pF @ 25V
Tehon hajautus (max) :
1.3W (Ta)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi :
Through Hole
Toimittajalaitteen paketti :
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Paketti / asia :
4-DIP (0.300", 7.62mm)