MBR3100G Hinnoittelu (USD) [148445kpl varastossa]
- 1 pcs$0.24916
- 10 pcs$0.21317
- 100 pcs$0.15919
- 500 pcs$0.12507
- 1,000 pcs$0.09665
- Osa numero:
- MBR3100G
- Valmistaja:
- ON Semiconductor
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO201AD. Schottky Diodes & Rectifiers 3A 100V
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - erityistarkoitus, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Tehonohjaimen moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Tiristorit - SCR-moduulit, Diodit - sillan tasasuuntaajat and Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in ON Semiconductor MBR3100G electronic components. MBR3100G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR3100G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
MBR3100G Tuoteominaisuudet
Osa numero :
MBR3100G
Valmistaja :
ON Semiconductor
Kuvaus :
DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO201AD
Sarja :
-
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Schottky
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
100V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
3A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
790mV @ 3A
Nopeus :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
-
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
600µA @ 100V
Kapasitanssi @ Vr, F :
-
Asennustyyppi :
Through Hole
Paketti / asia :
DO-201AA, DO-27, Axial
Toimittajalaitteen paketti :
DO-201AD
Käyttölämpötila - liitos :
-65°C ~ 175°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
-
BYG22A-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC. Rectifiers 2.0 Amp 50 Volt
-
BYS10-45-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 45V 1.5A DO214AC. Schottky Diodes & Rectifiers 1.5 Amp 45 Volt
-
RS1A-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1.0 Amp 50V 150ns
-
US1KHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC. Rectifiers 800 Volt 1.0A 75ns 30 Amp IFSM
-
RS1GHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC. Rectifiers 400 Volt 1.0A 150ns 36 Amp IFSM
Kuumat osat
- IDT06S60CHKSA1
- GP10A-5016M3/54
- 1N4006GPE-M3/73
- D740N36TXPSA1
- UF4005 BK
- JANS1N6677UR-1
- BA157GP-M3/54
- GP02-40-M3/73
- 1N4004GPE-E3/93
- RU 4DS
- VS-MBRD330TRLPBF
- SK310B/TR13
- SB10-05A3-BT
- DLA11C-TR-E
- GPA804-BP
- 1N5401-AP
- SS32HE3/57T
- SS25HE3/52T
- SS320HE-TP
- RJU6053WDPP-M0#T2
- S3GHE3/57T
- RS3BHE3/9AT
- RGP5020-E3/54
- GPP15M-E3/54
- GI917-E3/54
- FGP30D-E3/73
- MBRD835L
- MR856
- MBRS3201T3
- SIDC53D120H6X1SA3
- VS-MUR1520PBF
- 80EPS08
- S3AB-13
- FR1J-LTP
- D255K06BXPSA1
- STPSC5H12D
- RGF1D-E3/67A
- RB068LAM150TR
- RF01VM2STE-17
- LS103A-GS18