MA3J142A0L Hinnoittelu (USD) [1521167kpl varastossa]
- 1 pcs$0.03110
- 3,000 pcs$0.03095
- 6,000 pcs$0.02785
- 15,000 pcs$0.02476
- 30,000 pcs$0.02321
- Osa numero:
- MA3J142A0L
- Valmistaja:
- Panasonic Electronic Components
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI3.
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - IGBT - moduulit, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - JFET, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Panasonic Electronic Components MA3J142A0L electronic components. MA3J142A0L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MA3J142A0L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
MA3J142A0L Tuoteominaisuudet
Osa numero :
MA3J142A0L
Valmistaja :
Panasonic Electronic Components
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI3
Sarja :
-
Osan tila :
Obsolete
Diodin tyyppi :
Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
80V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
100mA (DC)
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1.2V @ 100mA
Nopeus :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Käänteinen palautumisaika (trr) :
10ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
100nA @ 75V
Kapasitanssi @ Vr, F :
15pF @ 0V, 1MHz
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
SC-85
Toimittajalaitteen paketti :
SMini3-F1
Käyttölämpötila - liitos :
150°C (Max)
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
-
BAS16E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 85V 0.25A
-
-
CMDD6001 TR
Central Semiconductor Corp
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA
-
VS-5EWH06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers Hyperfast 5A 600V 18ns
-
1N4150W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
Kuumat osat
- D251N14BXPSA1
- SB350-B
- APD140VD-G1
- LL103C-7
- NSR10F40QNXT5G
- F1857D400
- GP10-4003E-M3/54
- CD0603-B0230
- VS-60CPF12PBF
- 1N3890A
- SSB43LHE3/52T
- ESH2PD-E3/84A
- RP 1HV1
- PMEG2005AEA/DG,115
- SB350S-E3/54
- 1N1205BR
- MR851RL
- EGP50AHE3/54
- 1N4247GPHE3/54
- BYD33JGP-E3/73
- BAS 3020B E6327
- SBL1640
- MUR450PFRLG
- D121K18BXPSA1
- FFPF05U60STTU
- 241NQ045R
- S20420
- 30WQ03FN
- VS-31DQ06
- CDLL1A50
- D170S25BS1XPSA1
- UH2C-M3/52T
- STPSC4H065DI
- RG 2V
- RFN2LAM4STR
- AS3BD-M3/I
- EGL34F-E3/83
- RF08L6STE25
- S3M M6G
- GP10A-E3/54