Infineon Technologies - AUIRL3705ZSTRL

KEY Part #: K6402740

[2600kpl varastossa]


    Osa numero:
    AUIRL3705ZSTRL
    Valmistaja:
    Infineon Technologies
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - Zener - Arrays, Tiristorit - SCR-moduulit, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - IGBT - moduulit, Tiristorit - SCR: t, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction and Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in Infineon Technologies AUIRL3705ZSTRL electronic components. AUIRL3705ZSTRL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AUIRL3705ZSTRL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    AUIRL3705ZSTRL Tuoteominaisuudet

    Osa numero : AUIRL3705ZSTRL
    Valmistaja : Infineon Technologies
    Kuvaus : MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
    Sarja : HEXFET®
    Osan tila : Discontinued at Digi-Key
    FET-tyyppi : N-Channel
    tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
    Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 55V
    Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 75A (Tc)
    Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 52A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 60nC @ 5V
    Vgs (Max) : ±16V
    Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 2880pF @ 25V
    FET-ominaisuus : -
    Tehon hajautus (max) : 130W (Tc)
    Käyttölämpötila : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Asennustyyppi : Surface Mount
    Toimittajalaitteen paketti : D2PAK
    Paketti / asia : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    Saatat myös olla kiinnostunut
    • BS170PSTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

    • DN2540N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 400V 0.12A TO92-3.

    • GP2M008A060CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK.

    • AUIRFR540Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N CH 100V 35A DPAK.

    • GP2M004A065CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 650V 4A DPAK.

    • GP2M004A060CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 600V 4A DPAK.