Osa numero :
SI4823DY-T1-E3
Valmistaja :
Vishay Siliconix
Kuvaus :
MOSFET P-CH 20V 4.1A 8-SOIC
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
20V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
4.1A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
108 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
12nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
660pF @ 10V
FET-ominaisuus :
Schottky Diode (Isolated)
Tehon hajautus (max) :
1.7W (Ta), 2.8W (Tc)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
8-SO
Paketti / asia :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)