Vishay Semiconductor Diodes Division - FESB8AT-E3/81

KEY Part #: K6456455

FESB8AT-E3/81 Hinnoittelu (USD) [117965kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.31354
  • 800 pcs$0.29367

Osa numero:
FESB8AT-E3/81
Valmistaja:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Tiristorit - SCR: t, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Transistorit - IGBT - moduulit, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Diodit - Zener - Single, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays and Transistorit - erityistarkoitus ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division FESB8AT-E3/81 electronic components. FESB8AT-E3/81 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FESB8AT-E3/81, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FESB8AT-E3/81 Tuoteominaisuudet

Osa numero : FESB8AT-E3/81
Valmistaja : Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus : DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
Sarja : -
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 50V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 8A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 950mV @ 8A
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 35ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 10µA @ 50V
Kapasitanssi @ Vr, F : -
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Toimittajalaitteen paketti : TO-263AB
Käyttölämpötila - liitos : -55°C ~ 150°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • VS-16EDH02HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AC. Rectifiers Single 16A 200V FRED Pt AEC-Q101

  • SL03-GS08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 1.1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1.1A .395V

  • BYWB29-200-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0 Amp 200 Volt

  • BYWB29-150-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB.

  • BYWB29-100-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0 Amp 100 Volt

  • BYWB29-50-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0 Amp 50 Volt