Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Koti
  2. Tuotteet
  3. Diskreetti puolijohdetuotteet
  4. Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot
  5. MURTA400120

GeneSiC Semiconductor - MURTA400120

KEY Part #: K6468865

MURTA400120 Hinnoittelu (USD) [768kpl varastossa]

  • 1 pcs$60.52443
  • 18 pcs$36.55488
Osa numero:
MURTA400120
Valmistaja:
GeneSiC Semiconductor
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER. Rectifiers 1200V 400A Si Super Fast Recovery
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Diodit - Zener - Single, Transistorit - erityistarkoitus, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - JFET and Tiristorit - SCR: t ...
Kilpailuetu:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MURTA400120 electronic components. MURTA400120 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MURTA400120, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MURTA400120 Tuoteominaisuudet

Osa numero : MURTA400120
Valmistaja : GeneSiC Semiconductor
Kuvaus : DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
Sarja : -
Osan tila : Active
Diodin konfigurointi : 1 Pair Common Cathode
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 1200V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) (diodia kohti) : 200A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 2.6V @ 200A
Nopeus : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : -
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 25µA @ 1200V
Käyttölämpötila - liitos : -55°C ~ 150°C
Asennustyyppi : Chassis Mount
Paketti / asia : Three Tower
Toimittajalaitteen paketti : Three Tower
Saatat myös olla kiinnostunut
  • RURD620CCS9A-F085

    ON Semiconductor

    DIODE ARRAY GP 200V 6A DPAK. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 6A ULTRAFAST DUAL DIODES

  • LXA08T600C

    Power Integrations

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 600V TO220. Rectifiers X-Series 600V 4A Dual Low Qrr

  • BAS7004E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 70V SOT23.

  • BAS7005E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 70V SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Schottky Diode

  • BAT5406E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers 30V 0.2A

  • BAS4005E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers 40V 0.12A

Kuumat osat