Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Koti
  2. Tuotteet
  3. Diskreetti puolijohdetuotteet
  4. Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset
  5. BYV30B-600PJ

WeEn Semiconductors - BYV30B-600PJ

KEY Part #: K6440505

[3795kpl varastossa]

    Osa numero:
    BYV30B-600PJ
    Valmistaja:
    WeEn Semiconductors
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK. Rectifiers BYV30B-600PJ/TO263
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - IGBT - moduulit, Tiristorit - SCR: t, Transistorit - erityistarkoitus, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Tiristorit - TRIACit, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Diodit - RF and Transistorit - IGBT - Arrays ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in WeEn Semiconductors BYV30B-600PJ electronic components. BYV30B-600PJ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYV30B-600PJ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BYV30B-600PJ Tuoteominaisuudet

    Osa numero : BYV30B-600PJ
    Valmistaja : WeEn Semiconductors
    Kuvaus : DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK
    Sarja : -
    Osan tila : Active
    Diodin tyyppi : Standard
    Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 600V
    Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 30A
    Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.55V @ 30A
    Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Käänteinen palautumisaika (trr) : 75ns
    Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 10µA @ 600V
    Kapasitanssi @ Vr, F : -
    Asennustyyppi : Surface Mount
    Paketti / asia : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Toimittajalaitteen paketti : D2PAK
    Käyttölämpötila - liitos : 175°C (Max)
    Saatat myös olla kiinnostunut
    • VS-80APS08-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 800V 80A TO247AC. Rectifiers New Input Diodes - TO-247-e3

    • V20100S-E3/4W

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 20 Amp 100 Volt Single TrenchMOS

    • EGP20B-E3/73

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC. Rectifiers 100 Volt 2.0A 50ns Glass Passivated

    • EGP20G-E3/54

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 2A DO204AC. Rectifiers 2.0 Amp 400 Volt

    • RGP15K-E3/73

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO204AC. Rectifiers 800 Volt 1.5A 500ns 50 Amp IFSM

    • RGP15M-E3/73

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO204. Rectifiers 1000 Volt 1.5A 500ns 50 Amp IFSM

    Kuumat osat