Infineon Technologies - IPD180N10N3GATMA1

KEY Part #: K6420430

IPD180N10N3GATMA1 Hinnoittelu (USD) [194329kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.19033
  • 2,500 pcs$0.18272

Osa numero:
IPD180N10N3GATMA1
Valmistaja:
Infineon Technologies
Yksityiskohtainen kuvaus:
MV POWER MOS.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - Zener - Single, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Tiristorit - TRIACit, Tehonohjaimen moduulit, Transistorit - IGBT - Arrays and Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot ...
Kilpailuetu:
We specialize in Infineon Technologies IPD180N10N3GATMA1 electronic components. IPD180N10N3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD180N10N3GATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD180N10N3GATMA1 Tuoteominaisuudet

Osa numero : IPD180N10N3GATMA1
Valmistaja : Infineon Technologies
Kuvaus : MV POWER MOS
Sarja : OptiMOS™
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 43A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 33µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 1800pF @ 50V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 71W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : PG-TO252-3
Paketti / asia : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63