ON Semiconductor - NGTG35N65FL2WG

KEY Part #: K6422603

NGTG35N65FL2WG Hinnoittelu (USD) [21697kpl varastossa]

  • 1 pcs$1.89942
  • 240 pcs$1.39129

Osa numero:
NGTG35N65FL2WG
Valmistaja:
ON Semiconductor
Yksityiskohtainen kuvaus:
IGBT 650V 60A 167W TO247.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tehonohjaimen moduulit, Diodit - RF, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij ...
Kilpailuetu:
We specialize in ON Semiconductor NGTG35N65FL2WG electronic components. NGTG35N65FL2WG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NGTG35N65FL2WG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NGTG35N65FL2WG Tuoteominaisuudet

Osa numero : NGTG35N65FL2WG
Valmistaja : ON Semiconductor
Kuvaus : IGBT 650V 60A 167W TO247
Sarja : -
Osan tila : Active
IGBT-tyyppi : Field Stop
Jännite - keräilijän jakajan jakauma (max) : 650V
Nykyinen - keräilijä (Ic) (max) : 70A
Nykyinen - keräilijän pulssi (Icm) : 120A
Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic : 2V @ 15V, 35A
Teho - Max : 300W
Energian vaihtaminen : 840µJ (on), 280µJ (off)
Syötteen tyyppi : Standard
Gate Charge : 125nC
Td (päälle / pois) @ 25 ° C : 72ns/132ns
Testiolosuhteet : 400V, 35A, 10 Ohm, 15V
Käänteinen palautumisaika (trr) : -
Käyttölämpötila : -55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi : Through Hole
Paketti / asia : TO-247-3
Toimittajalaitteen paketti : TO-247-3