SBR0240LP-7 Hinnoittelu (USD) [773543kpl varastossa]
- 1 pcs$0.04782
- 3,000 pcs$0.04307
- 6,000 pcs$0.04046
- 15,000 pcs$0.03785
- 30,000 pcs$0.03472
- Osa numero:
- SBR0240LP-7
- Valmistaja:
- Diodes Incorporated
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE SBR 40V 250MA 2DFN. Schottky Diodes & Rectifiers SUPER BARRIER REC 0.2A,40V,ULTRA LO VF
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - DIAC, SIDAC, Tiristorit - TRIACit, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Transistorit - JFET, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Tiristorit - SCR-moduulit, Diodit - Zener - Arrays and Diodit - RF ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Diodes Incorporated SBR0240LP-7 electronic components. SBR0240LP-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SBR0240LP-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SBR0240LP-7 Tuoteominaisuudet
Osa numero :
SBR0240LP-7
Valmistaja :
Diodes Incorporated
Kuvaus :
DIODE SBR 40V 250MA 2DFN
Sarja :
SBR®
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Super Barrier
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
40V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
250mA
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
590mV @ 200mA
Nopeus :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
-
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
10µA @ 40V
Kapasitanssi @ Vr, F :
-
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
0402 (1006 Metric)
Toimittajalaitteen paketti :
X1-DFN1006-2
Käyttölämpötila - liitos :
-65°C ~ 150°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
-
BAS70E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers 70V 0.07A
-
MMBD1401A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 175V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Small Signal Diode
-
VS-12EWH06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 12A TO252. Rectifiers 12A 600V 18ns Hyperfast
-
VS-15EWH06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK. Rectifiers 15A 600V 22ns Hyperfast
-
VS-8EWH02FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A TO252. Rectifiers Freds - D-PAK-e3
Kuumat osat
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A