SBRT4U15LP-7 Hinnoittelu (USD) [363640kpl varastossa]
- 1 pcs$0.10171
- 3,000 pcs$0.09104
- 6,000 pcs$0.08516
- 15,000 pcs$0.07929
- Osa numero:
- SBRT4U15LP-7
- Valmistaja:
- Diodes Incorporated
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE SBR 15V 4A U-DFN2020-2. Schottky Diodes & Rectifiers 4A Trench SBR Low PWR Loss
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - JFET, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Diodit - RF, Transistorit - erityistarkoitus and Tehonohjaimen moduulit ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Diodes Incorporated SBRT4U15LP-7 electronic components. SBRT4U15LP-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SBRT4U15LP-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SBRT4U15LP-7 Tuoteominaisuudet
Osa numero :
SBRT4U15LP-7
Valmistaja :
Diodes Incorporated
Kuvaus :
DIODE SBR 15V 4A U-DFN2020-2
Sarja :
Automotive, AEC-Q101
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Super Barrier
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
15V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
4A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
470mV @ 15A
Nopeus :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
-
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
100µA @ 15V
Kapasitanssi @ Vr, F :
-
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
2-UFDFN
Toimittajalaitteen paketti :
U-DFN2020-2
Käyttölämpötila - liitos :
-55°C ~ 150°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
BAS20-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 200V
-
MMBD6050
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 70V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode
-
-
1SS196(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 80V Switching Diode S-Mini High
-
-
Kuumat osat
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A