Diodes Incorporated - DMN65D8LDW-7

KEY Part #: K6525412

DMN65D8LDW-7 Hinnoittelu (USD) [1244959kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.02971
  • 3,000 pcs$0.02723

Osa numero:
DMN65D8LDW-7
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Transistorit - erityistarkoitus, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Tiristorit - SCR-moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Transistorit - JFET and Diodit - sillan tasasuuntaajat ...
Kilpailuetu:
We specialize in Diodes Incorporated DMN65D8LDW-7 electronic components. DMN65D8LDW-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN65D8LDW-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN65D8LDW-7 Tuoteominaisuudet

Osa numero : DMN65D8LDW-7
Valmistaja : Diodes Incorporated
Kuvaus : MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Sarja : -
Osan tila : Active
FET-tyyppi : 2 N-Channel (Dual)
FET-ominaisuus : Logic Level Gate
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 180mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 Ohm @ 115mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 0.87nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 22pF @ 25V
Teho - Max : 300mW
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Toimittajalaitteen paketti : SOT-363