Taiwan Semiconductor Corporation - TSM60N900CH C5G

KEY Part #: K6420079

TSM60N900CH C5G Hinnoittelu (USD) [157921kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.23422

Osa numero:
TSM60N900CH C5G
Valmistaja:
Taiwan Semiconductor Corporation
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO251.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - erityistarkoitus, Tehonohjaimen moduulit, Diodit - RF, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt and Tiristorit - SCR: t ...
Kilpailuetu:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N900CH C5G electronic components. TSM60N900CH C5G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TSM60N900CH C5G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TSM60N900CH C5G Tuoteominaisuudet

Osa numero : TSM60N900CH C5G
Valmistaja : Taiwan Semiconductor Corporation
Kuvaus : MOSFET N-CH 600V 4.5A TO251
Sarja : -
Osan tila : Not For New Designs
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 600V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 4.5A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 900 mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 9.7nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 480pF @ 100V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 50W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Through Hole
Toimittajalaitteen paketti : TO-251 (IPAK)
Paketti / asia : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA