Valmistaja :
GeneSiC Semiconductor
Kuvaus :
DIODE SCHOTTKY 200V 100A 3 TOWER
Diodin konfigurointi :
1 Pair Common Anode
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
200V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) (diodia kohti) :
100A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
920mV @ 100A
Nopeus :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
-
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
1mA @ 200V
Käyttölämpötila - liitos :
-55°C ~ 150°C
Asennustyyppi :
Chassis Mount
Paketti / asia :
Three Tower
Toimittajalaitteen paketti :
Three Tower