HS1JL RFG Hinnoittelu (USD) [1484466kpl varastossa]
- 1 pcs$0.02492
- Osa numero:
- HS1JL RFG
- Valmistaja:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA.
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - IGBT - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Tiristorit - SCR-moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var and Transistorit - ohjelmoitava Unijunction ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation HS1JL RFG electronic components. HS1JL RFG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HS1JL RFG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HS1JL RFG Tuoteominaisuudet
Osa numero :
HS1JL RFG
Valmistaja :
Taiwan Semiconductor Corporation
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Sarja :
-
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
600V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
1A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1.7V @ 1A
Nopeus :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
75ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
5µA @ 600V
Kapasitanssi @ Vr, F :
15pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
DO-219AB
Toimittajalaitteen paketti :
Sub SMA
Käyttölämpötila - liitos :
-55°C ~ 150°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
MSC030SDA070K
Microsemi Corporation
DIODE SCHOTTKY 700V 30A TO220-3. Schottky Diodes & Rectifiers 700 V, 20 A SiC SBD
-
SE20FGHM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1.7A DO219AB. Rectifiers 2A,400V ESD PROTECTION, SMF RECT
-
SE15FJHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO219AB. Rectifiers 1.5A,600V ESD PROTECTION, SMF RECT
-
SE15FJ-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO219AB. Rectifiers 1.5A,600V ESD PROTECTION, SMF RECT
-
SE15FG-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO219AB. Rectifiers 1.5A,400V ESD PROTECTION, SMF RECT
-
SE15FD-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO219AB. Rectifiers 1.5A,200V ESD PROTECTION, SMF RECT
Kuumat osat
- BYV29B-600PJ
- RL104-N-2-3-AP
- 1N3172A
- CMSH2-40M BK
- VI30120SGHM3/4W
- JAN1N1614R
- 1N4946GP-M3/54
- UES2605R
- CD214B-F3150
- SB340S-E3/54
- DSR01S30SC(TPL3)
- RGP02-16EHE3/53
- ES3GHE3/57T
- UF8CT-E3/4W
- S1DA-E3/5AT
- 1N4446_T50R
- HFA08TB60STRR
- PR3005-T
- PR2006G-T
- STTH20R04W
- SIDC73D170E6X1SA2
- CD214A-B240LF
- 10WQ045FN
- MA2711100L
- MMBD914-7
- 10ETF02STRL
- IRKE91/04A
- 30EPF12
- 20ETF02
- BAT42W-7
- SM4933A-TP
- FR154S-TP
- FR604-AP
- GIB1403-E3/81
- SE40PGHM3_A/H
- RN 1ZV
- CDBB3150-G
- PMEG2010AET,215
- 1N4005GPE-E3/54
- BAS16WF