Osa numero :
BSM300D12P2E001
Valmistaja :
Rohm Semiconductor
Kuvaus :
MOSFET 2N-CH 1200V 300A
FET-tyyppi :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-ominaisuus :
Silicon Carbide (SiC)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 68mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
35000pF @ 10V
Käyttölämpötila :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Chassis Mount
Toimittajalaitteen paketti :
Module