GP08GE-E3/54 Hinnoittelu (USD) [916157kpl varastossa]
- 1 pcs$0.04260
- 11,000 pcs$0.04239
- Osa numero:
- GP08GE-E3/54
- Valmistaja:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE GEN PURP 400V 800MA DO204. Rectifiers 400 Volt 0.8 Amp 25 Amp IFSM
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - SCR: t, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Tiristorit - DIAC, SIDAC and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GP08GE-E3/54 electronic components. GP08GE-E3/54 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GP08GE-E3/54, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
GP08GE-E3/54 Tuoteominaisuudet
Osa numero :
GP08GE-E3/54
Valmistaja :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 400V 800MA DO204
Sarja :
SUPERECTIFIER®
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
400V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
800mA
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1.3V @ 800mA
Nopeus :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
2µs
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
5µA @ 400V
Kapasitanssi @ Vr, F :
-
Asennustyyppi :
Through Hole
Paketti / asia :
DO-204AL, DO-41, Axial
Toimittajalaitteen paketti :
DO-204AL (DO-41)
Käyttölämpötila - liitos :
-65°C ~ 175°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
1SS250(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 200V Switching Diode S-Mini High
-
SE30AFG-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3.0A, 400V, ESD PROTECTION, SLIM SMA
-
SE30AFD-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3.0A, 200V, ESD PROTECTION, SLIM SMA
-
SE30AFB-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in
-
SE20AFJ-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 600 volts ESD PROTECTION 13in
-
SE20AFGHM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in
Kuumat osat
- BYV29B-600PJ
- RL104-N-2-3-AP
- 1N3172A
- CMSH2-40M BK
- VI30120SGHM3/4W
- JAN1N1614R
- 1N4946GP-M3/54
- UES2605R
- CD214B-F3150
- SB340S-E3/54
- DSR01S30SC(TPL3)
- RGP02-16EHE3/53
- ES3GHE3/57T
- UF8CT-E3/4W
- S1DA-E3/5AT
- 1N4446_T50R
- HFA08TB60STRR
- PR3005-T
- PR2006G-T
- STTH20R04W
- SIDC73D170E6X1SA2
- CD214A-B240LF
- 10WQ045FN
- MA2711100L
- MMBD914-7
- 10ETF02STRL
- IRKE91/04A
- 30EPF12
- 20ETF02
- BAT42W-7
- SM4933A-TP
- FR154S-TP
- FR604-AP
- GIB1403-E3/81
- SE40PGHM3_A/H
- RN 1ZV
- CDBB3150-G
- PMEG2010AET,215
- 1N4005GPE-E3/54
- BAS16WF