Infineon Technologies - IRF2805PBF

KEY Part #: K6401619

IRF2805PBF Hinnoittelu (USD) [36819kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.88637
  • 10 pcs$0.79941
  • 100 pcs$0.64241
  • 500 pcs$0.49965
  • 1,000 pcs$0.41399

Osa numero:
IRF2805PBF
Valmistaja:
Infineon Technologies
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Tiristorit - SCR-moduulit, Diodit - Zener - Arrays, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Transistorit - JFET, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF and Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var ...
Kilpailuetu:
We specialize in Infineon Technologies IRF2805PBF electronic components. IRF2805PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF2805PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF2805PBF Tuoteominaisuudet

Osa numero : IRF2805PBF
Valmistaja : Infineon Technologies
Kuvaus : MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
Sarja : HEXFET®
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 55V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 75A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.7 mOhm @ 104A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 230nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 5110pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 330W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi : Through Hole
Toimittajalaitteen paketti : TO-220AB
Paketti / asia : TO-220-3