Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Koti
  2. Tuotteet
  3. Diskreetti puolijohdetuotteet
  4. Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset
  5. JANTXV1N5806US

Microsemi Corporation - JANTXV1N5806US

KEY Part #: K6433001

JANTXV1N5806US Hinnoittelu (USD) [7408kpl varastossa]

  • 1 pcs$6.33596
  • 131 pcs$6.30443
Osa numero:
JANTXV1N5806US
Valmistaja:
Microsemi Corporation
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 150V 1A D5A. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 2.5A SFST 150V HRV 2FFTV
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Tiristorit - SCR: t, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF and Tiristorit - TRIACit ...
Kilpailuetu:
We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N5806US electronic components. JANTXV1N5806US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N5806US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N5806US Tuoteominaisuudet

Osa numero : JANTXV1N5806US
Valmistaja : Microsemi Corporation
Kuvaus : DIODE GEN PURP 150V 1A D5A
Sarja : Military, MIL-PRF-19500/477
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 150V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 1A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 875mV @ 1A
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 25ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 1µA @ 150V
Kapasitanssi @ Vr, F : 25pF @ 10V, 1MHz
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : SQ-MELF, A
Toimittajalaitteen paketti : D-5A
Käyttölämpötila - liitos : -65°C ~ 175°C

Uusimmat uutiset

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Saatat myös olla kiinnostunut
  • VS-16F20

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 16A DO203AA. Rectifiers 200 Volt 16 Amp

  • SS1FH10-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO-219AB. Schottky Diodes & Rectifiers If 1A Vrrm 100V DO-219AB Ifsm 40A

  • V3FL45-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    3A45VSMFTRENCH SKY RECT..

  • SS1FN6-M3/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 60V Vrrm 1A IF(AV) SMF (DO-219AB)

  • V2FL45-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    2A45VSMFTRENCH SKY RECT..

  • V3FM10HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    3A100VSMFTRENCH SKY RECT..

Kuumat osat