Vishay Siliconix - SIHH27N60EF-T1-GE3

KEY Part #: K6417025

SIHH27N60EF-T1-GE3 Hinnoittelu (USD) [23347kpl varastossa]

  • 1 pcs$1.76519

Osa numero:
SIHH27N60EF-T1-GE3
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 29A POWERPAK8.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - IGBT - moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Transistorit - IGBT - Arrays, Diodit - RF, Tehonohjaimen moduulit, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - erityistarkoitus and Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Siliconix SIHH27N60EF-T1-GE3 electronic components. SIHH27N60EF-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHH27N60EF-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHH27N60EF-T1-GE3 Tuoteominaisuudet

Osa numero : SIHH27N60EF-T1-GE3
Valmistaja : Vishay Siliconix
Kuvaus : MOSFET N-CH 600V 29A POWERPAK8
Sarja : E
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 600V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 29A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 135nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 2609pF @ 100V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 202W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : PowerPAK® 8 x 8
Paketti / asia : 8-PowerTDFN

Saatat myös olla kiinnostunut
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • FDD8870

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.