Global Power Technologies Group - GSID200A170S3B1

KEY Part #: K6532559

GSID200A170S3B1 Hinnoittelu (USD) [660kpl varastossa]

  • 1 pcs$70.68933
  • 4 pcs$70.33764

Osa numero:
GSID200A170S3B1
Valmistaja:
Global Power Technologies Group
Yksityiskohtainen kuvaus:
SILICON IGBT MODULES.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Tiristorit - DIAC, SIDAC and Transistorit - IGBT - Arrays ...
Kilpailuetu:
We specialize in Global Power Technologies Group GSID200A170S3B1 electronic components. GSID200A170S3B1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GSID200A170S3B1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GSID200A170S3B1 Tuoteominaisuudet

Osa numero : GSID200A170S3B1
Valmistaja : Global Power Technologies Group
Kuvaus : SILICON IGBT MODULES
Sarja : Amp+™
Osan tila : Active
IGBT-tyyppi : -
kokoonpano : 2 Independent
Jännite - keräilijän jakajan jakauma (max) : 1200V
Nykyinen - keräilijä (Ic) (max) : 400A
Teho - Max : 1630W
Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 200A
Nykyinen - Keräilijän katkaisu (max) : 1mA
Syöttökapasiteetti (Cies) @ Vce : 26nF @ 25V
panos : Standard
NTC-termistori : No
Käyttölämpötila : -40°C ~ 150°C
Asennustyyppi : Chassis Mount
Paketti / asia : D-3 Module
Toimittajalaitteen paketti : D3

Saatat myös olla kiinnostunut
  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.