Infineon Technologies - F3L200R07PE4BOSA1

KEY Part #: K6532701

F3L200R07PE4BOSA1 Hinnoittelu (USD) [637kpl varastossa]

  • 1 pcs$72.89284

Osa numero:
F3L200R07PE4BOSA1
Valmistaja:
Infineon Technologies
Yksityiskohtainen kuvaus:
IGBT MODULE VCES 650V 200A.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Transistorit - IGBT - Arrays, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset and Diodit - RF ...
Kilpailuetu:
We specialize in Infineon Technologies F3L200R07PE4BOSA1 electronic components. F3L200R07PE4BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for F3L200R07PE4BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

F3L200R07PE4BOSA1 Tuoteominaisuudet

Osa numero : F3L200R07PE4BOSA1
Valmistaja : Infineon Technologies
Kuvaus : IGBT MODULE VCES 650V 200A
Sarja : -
Osan tila : Active
IGBT-tyyppi : Trench Field Stop
kokoonpano : Three Phase Inverter
Jännite - keräilijän jakajan jakauma (max) : 650V
Nykyinen - keräilijä (Ic) (max) : 200A
Teho - Max : 680W
Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic : 1.95V @ 15V, 200A
Nykyinen - Keräilijän katkaisu (max) : 1mA
Syöttökapasiteetti (Cies) @ Vce : 12.5nF @ 25V
panos : Standard
NTC-termistori : Yes
Käyttölämpötila : -40°C ~ 150°C
Asennustyyppi : Chassis Mount
Paketti / asia : Module
Toimittajalaitteen paketti : Module

Saatat myös olla kiinnostunut
  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A2C35S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.