Transphorm - TP65H035WSQA

KEY Part #: K6396073

TP65H035WSQA Hinnoittelu (USD) [4296kpl varastossa]

  • 1 pcs$10.08141

Osa numero:
TP65H035WSQA
Valmistaja:
Transphorm
Yksityiskohtainen kuvaus:
GANFET N-CH 650V 47A TO247-3.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - IGBT - moduulit, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Diodit - Zener - Single, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen and Tehonohjaimen moduulit ...
Kilpailuetu:
We specialize in Transphorm TP65H035WSQA electronic components. TP65H035WSQA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TP65H035WSQA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TP65H035WSQA Tuoteominaisuudet

Osa numero : TP65H035WSQA
Valmistaja : Transphorm
Kuvaus : GANFET N-CH 650V 47A TO247-3
Sarja : -
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : GaNFET (Gallium Nitride)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 650V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 47A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 41 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 36nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 1500pF @ 400V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 187W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi : Through Hole
Toimittajalaitteen paketti : TO-247
Paketti / asia : TO-247-3