Infineon Technologies - IRL2203NSPBF

KEY Part #: K6413789

[8397kpl varastossa]


    Osa numero:
    IRL2203NSPBF
    Valmistaja:
    Infineon Technologies
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - RF, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Tehonohjaimen moduulit, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction and Tiristorit - TRIACit ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in Infineon Technologies IRL2203NSPBF electronic components. IRL2203NSPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRL2203NSPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRL2203NSPBF Tuoteominaisuudet

    Osa numero : IRL2203NSPBF
    Valmistaja : Infineon Technologies
    Kuvaus : MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
    Sarja : HEXFET®
    Osan tila : Discontinued at Digi-Key
    FET-tyyppi : N-Channel
    tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
    Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 30V
    Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 116A (Tc)
    Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 mOhm @ 60A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 60nC @ 4.5V
    Vgs (Max) : ±16V
    Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 3290pF @ 25V
    FET-ominaisuus : -
    Tehon hajautus (max) : 3.8W (Ta), 180W (Tc)
    Käyttölämpötila : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Asennustyyppi : Surface Mount
    Toimittajalaitteen paketti : D2PAK
    Paketti / asia : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    Saatat myös olla kiinnostunut
    • IRF5805

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP.

    • IRF5800

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP.

    • IRF5804

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP.

    • IRF5803

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

    • IRF5806

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP.

    • ZVN4206AVSTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3.