Taiwan Semiconductor Corporation - TSM089N08LCR RLG

KEY Part #: K6403631

TSM089N08LCR RLG Hinnoittelu (USD) [167085kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.22137

Osa numero:
TSM089N08LCR RLG
Valmistaja:
Taiwan Semiconductor Corporation
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 80V 67A 8PDFN.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - DIAC, SIDAC, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Diodit - RF, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen ...
Kilpailuetu:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation TSM089N08LCR RLG electronic components. TSM089N08LCR RLG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TSM089N08LCR RLG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TSM089N08LCR RLG Tuoteominaisuudet

Osa numero : TSM089N08LCR RLG
Valmistaja : Taiwan Semiconductor Corporation
Kuvaus : MOSFET N-CH 80V 67A 8PDFN
Sarja : -
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 80V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 67A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.9 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 90nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 6119pF @ 40V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 83W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : 8-PDFN (5x6)
Paketti / asia : 8-PowerTDFN