Osa numero :
SIA810DJ-T1-E3
Valmistaja :
Vishay Siliconix
Kuvaus :
MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
20V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
4.5A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
53 mOhm @ 3.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
11.5nC @ 8V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
400pF @ 10V
FET-ominaisuus :
Schottky Diode (Isolated)
Tehon hajautus (max) :
1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Paketti / asia :
PowerPAK® SC-70-6 Dual