SBR8U20SP5-13 Hinnoittelu (USD) [277510kpl varastossa]
- 1 pcs$0.13328
- 5,000 pcs$0.11746
- 10,000 pcs$0.11311
- Osa numero:
- SBR8U20SP5-13
- Valmistaja:
- Diodes Incorporated
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE SBR 20V 8A POWERDI5. Schottky Diodes & Rectifiers Super Barrier Rectif PDI5 T&R 5K
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - TRIACit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var and Tiristorit - SCR: t ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Diodes Incorporated SBR8U20SP5-13 electronic components. SBR8U20SP5-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SBR8U20SP5-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SBR8U20SP5-13 Tuoteominaisuudet
Osa numero :
SBR8U20SP5-13
Valmistaja :
Diodes Incorporated
Kuvaus :
DIODE SBR 20V 8A POWERDI5
Sarja :
SBR®
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Super Barrier
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
20V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
8A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
510mV @ 8A
Nopeus :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
-
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
500µA @ 20V
Kapasitanssi @ Vr, F :
-
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
PowerDI™ 5
Toimittajalaitteen paketti :
PowerDI™ 5
Käyttölämpötila - liitos :
-65°C ~ 150°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
MBRD6100CT-TP
Micro Commercial Co
6A100VSCHOTTKYDPAK PACKAGE. Schottky Diodes & Rectifiers 6A SCHOTTKY RECTIFIER
-
-
GI751-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 6A P600. Rectifiers 6 Amp 100 Volt 400 Amp IFSM
-
GL41M-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1000 Volt 30 Amp IFSM
-
BYM10-800-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB. Rectifiers 800 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
-
BYM10-1000-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1000 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
Kuumat osat
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A