Diodes Incorporated - MBR5H150VPA-G1

KEY Part #: K6441634

MBR5H150VPA-G1 Hinnoittelu (USD) [3409kpl varastossa]

  • 500 pcs$0.08353

Osa numero:
MBR5H150VPA-G1
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE SCHOTTKY 150V 5A DO27.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Transistorit - IGBT - moduulit, Transistorit - erityistarkoitus, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Tiristorit - TRIACit and Transistorit - IGBT - Arrays ...
Kilpailuetu:
We specialize in Diodes Incorporated MBR5H150VPA-G1 electronic components. MBR5H150VPA-G1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR5H150VPA-G1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR5H150VPA-G1 Tuoteominaisuudet

Osa numero : MBR5H150VPA-G1
Valmistaja : Diodes Incorporated
Kuvaus : DIODE SCHOTTKY 150V 5A DO27
Sarja : -
Osan tila : Obsolete
Diodin tyyppi : Schottky
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 150V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 5A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 920mV @ 5A
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : -
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 8µA @ 150V
Kapasitanssi @ Vr, F : -
Asennustyyppi : Through Hole
Paketti / asia : DO-201AA, DO-27, Axial
Toimittajalaitteen paketti : DO-27
Käyttölämpötila - liitos : 175°C (Max)

Saatat myös olla kiinnostunut
  • CDBDSC8650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 8A 650V

  • CDBDSC10650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 10A 650V

  • CDBDSC5650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 650V

  • VS-8EWS10STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

  • VS-8EWS10STRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

  • VSB20L45-M3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 7.5A P600.