Microsemi Corporation - APT65GP60J

KEY Part #: K6532585

APT65GP60J Hinnoittelu (USD) [2534kpl varastossa]

  • 1 pcs$17.08650
  • 10 pcs$15.80641

Osa numero:
APT65GP60J
Valmistaja:
Microsemi Corporation
Yksityiskohtainen kuvaus:
IGBT 600V 130A 431W SOT227.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - JFET, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Tiristorit - TRIACit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen and Tiristorit - SCR: t ...
Kilpailuetu:
We specialize in Microsemi Corporation APT65GP60J electronic components. APT65GP60J can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT65GP60J, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT65GP60J Tuoteominaisuudet

Osa numero : APT65GP60J
Valmistaja : Microsemi Corporation
Kuvaus : IGBT 600V 130A 431W SOT227
Sarja : POWER MOS 7®
Osan tila : Active
IGBT-tyyppi : PT
kokoonpano : Single
Jännite - keräilijän jakajan jakauma (max) : 600V
Nykyinen - keräilijä (Ic) (max) : 130A
Teho - Max : 431W
Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic : 2.7V @ 15V, 65A
Nykyinen - Keräilijän katkaisu (max) : 1mA
Syöttökapasiteetti (Cies) @ Vce : 7.4nF @ 25V
panos : Standard
NTC-termistori : No
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Chassis Mount
Paketti / asia : SOT-227-4, miniBLOC
Toimittajalaitteen paketti : ISOTOP®

Saatat myös olla kiinnostunut
  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.