MUR4100ERLG Hinnoittelu (USD) [388232kpl varastossa]
- 1 pcs$0.10945
- 1,500 pcs$0.10890
- 3,000 pcs$0.09869
- 7,500 pcs$0.09189
- 10,500 pcs$0.09075
- Osa numero:
- MUR4100ERLG
- Valmistaja:
- ON Semiconductor
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE GEN PURP 1KV 4A DO201AD. Rectifiers 1000V 4A UltraFast
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Diodit - RF, Transistorit - IGBT - Arrays, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Tiristorit - SCR-moduulit, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in ON Semiconductor MUR4100ERLG electronic components. MUR4100ERLG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MUR4100ERLG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
MUR4100ERLG Tuoteominaisuudet
Osa numero :
MUR4100ERLG
Valmistaja :
ON Semiconductor
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 1KV 4A DO201AD
Sarja :
SWITCHMODE™
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
1000V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
4A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1.85V @ 4A
Nopeus :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
100ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
25µA @ 1000V
Kapasitanssi @ Vr, F :
-
Asennustyyppi :
Through Hole
Paketti / asia :
DO-201AA, DO-27, Axial
Toimittajalaitteen paketti :
DO-201AD
Käyttölämpötila - liitos :
-65°C ~ 175°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
VS-8EWF12S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252. Rectifiers 8A 1200V Single Die
-
VS-50WQ06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
-
RGL34J-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM
-
-
VS-ETL1506S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 15A D2PAK. Rectifiers 15A 600V Ultrafast 210ns
-
SGL41-60-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO213AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1.0 Amp 60 Volt
Kuumat osat
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
- APT15D30KG
- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
- RU 1CV
- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18