Vishay Semiconductor Diodes Division - GP10B-E3/73

KEY Part #: K6457919

GP10B-E3/73 Hinnoittelu (USD) [750572kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.04928
  • 9,000 pcs$0.03177

Osa numero:
GP10B-E3/73
Valmistaja:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL. Rectifiers 100 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - erityistarkoitus, Tehonohjaimen moduulit, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF and Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GP10B-E3/73 electronic components. GP10B-E3/73 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GP10B-E3/73, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GP10B-E3/73 Tuoteominaisuudet

Osa numero : GP10B-E3/73
Valmistaja : Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus : DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL
Sarja : SUPERECTIFIER®
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 100V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 1A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 1A
Nopeus : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 3µs
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 5µA @ 100V
Kapasitanssi @ Vr, F : 8pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi : Through Hole
Paketti / asia : DO-204AL, DO-41, Axial
Toimittajalaitteen paketti : DO-204AL (DO-41)
Käyttölämpötila - liitos : -65°C ~ 175°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • RGL34B-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • RGL34D-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • RGL34B-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • RGL34J-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM

  • BYM07-200-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 200 Volt

  • BYM07-100-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 100 Volt