Valmistaja :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 800V 8A DPAK
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
800V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
8A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1.1V @ 8A
Nopeus :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
-
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
50µA @ 800V
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Toimittajalaitteen paketti :
D-PAK (TO-252AA)
Käyttölämpötila - liitos :
-55°C ~ 150°C