S1JHE3_A/I Hinnoittelu (USD) [1218837kpl varastossa]
- 1 pcs$0.03035
- 7,500 pcs$0.02825
- 15,000 pcs$0.02511
- 37,500 pcs$0.02354
- 52,500 pcs$0.02093
- Osa numero:
- S1JHE3_A/I
- Valmistaja:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC. Rectifiers 1A 600V 40A@8.3ms Single Die Auto
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Diodit - Zener - Arrays, Tiristorit - SCR: t, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF and Tiristorit - SCR-moduulit ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division S1JHE3_A/I electronic components. S1JHE3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S1JHE3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
S1JHE3_A/I Tuoteominaisuudet
Osa numero :
S1JHE3_A/I
Valmistaja :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Sarja :
-
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
600V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
1A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1.1V @ 1A
Nopeus :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
1.8µs
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
1µA @ 600V
Kapasitanssi @ Vr, F :
12pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
DO-214AC, SMA
Toimittajalaitteen paketti :
DO-214AC (SMA)
Käyttölämpötila - liitos :
-55°C ~ 150°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
CSD01060E
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 600V 1A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers 1A 600V SIC SCHOTTKY DIODE
-
RURD660S9A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V
-
BAS116E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
VS-30WQ06FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 3.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
-
-
VS-30EPH03PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 30A TO247AC. Rectifiers 300 Volt 30 Amp
Kuumat osat
- IDL10G65C5XUMA1
- IDK03G65C5XTMA1
- JANTXV1N1190R
- VS-150SQ030
- 1N6304R
- RGP10K-M3/54
- RK 14
- VS-80SQ030TR
- S4250TS
- CD1005-B0140R
- SUF15G-E3/54
- SS3P6-E3/85A
- CDBP0130R-G
- BY229B-400-E3/81
- FGP50D-E3/73
- S204100
- ES3A-E3/51T
- FFPF06UP20STU
- VS-90SQ035TR
- R2040
- 8ETH03
- 80EPS12
- 300HF40P
- S3G-13
- FR603-T
- HFA25PB60
- VS-95SQ015
- SF12M-TP
- CR3-060GPP BK
- APD245VRTR-G1
- MUR140-TP
- HER204-TP
- FR154-TP
- 1N4944-TP
- 1A4-AP
- GIB1404HE3/81
- CMR1U-02 BK
- RX 10ZV
- SE10PB-M3/85A
- SE07PD-M3/85A