Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Koti
  2. Tuotteet
  3. Diskreetti puolijohdetuotteet
  4. Diodit - sillan tasasuuntaajat
  5. DB106G

GeneSiC Semiconductor - DB106G

KEY Part #: K6537568

DB106G Hinnoittelu (USD) [442180kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.08712
  • 2,500 pcs$0.08668
Osa numero:
DB106G
Valmistaja:
GeneSiC Semiconductor
Yksityiskohtainen kuvaus:
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DB. Bridge Rectifiers 800V 1A Silicon
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - erityistarkoitus, Tiristorit - SCR: t, Transistorit - IGBT - Arrays, Tiristorit - SCR-moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Diodit - sillan tasasuuntaajat and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF ...
Kilpailuetu:
We specialize in GeneSiC Semiconductor DB106G electronic components. DB106G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DB106G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DB106G Tuoteominaisuudet

Osa numero : DB106G
Valmistaja : GeneSiC Semiconductor
Kuvaus : BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DB
Sarja : -
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Single Phase
tekniikka : Standard
Jännite - Peak Reverse (Max) : 800V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 1A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 1A
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 10µA @ 800V
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Through Hole
Paketti / asia : 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Toimittajalaitteen paketti : DB
Saatat myös olla kiinnostunut
  • VSKT500-14

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    SCR DBL 2SCR 1400V 500A MAGNAPAK.

  • VSKT500-16

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    SCR DBL 2SCR 1600V 500A MAGNAPAK.

  • VSKH500-12

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    SCR 1200V 500A SUPER MAGN-A-PAK.

  • GBPC3506W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 600V 35A GBPC-W. Bridge Rectifiers 35 Amp 600 Volt

  • KBPC5002W

    GeneSiC Semiconductor

    BRIDGE RECT 1P 200V 50A KBPC-W. Bridge Rectifiers 200 V - 50 A

  • KBPC5010W

    GeneSiC Semiconductor

    BRIDGE RECT 1P 1KV 50A KBPC-W. Bridge Rectifiers 1000 V - 50 A

Kuumat osat