ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS42RM16800H-75BLI-TR

KEY Part #: K939412

Yksityiskohtainen kuvaus:: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA. DRAM 128M, 2.5V, M-SDRAM 8Mx16, 133Mhz, RoHS

Perheluokat:: KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Logiikka - Kääntäjät, Tasonsiirtimet, PMIC - Hot Swap -ohjaimet, PMIC - AC DC -muuntimet, offline-kytkimet, Logiikka - vertailijat, Liitäntä - moduulit, Liitäntä - Signaaliterminaattorit, Liitäntä - Ajurit, vastaanottimet, lähetin-vastaan and Sulautetut - mikrokontrollerit - sovelluskohtainen ...

Kilpailuetu:: We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM16800H-75BLI-TR electronic components. IS42RM16800H-75BLI-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS42RM16800H-75BLI-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Osa numero : IS42RM16800H-75BLI-TR

Valmistaja : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Kuvaus : IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Sarja : -

Osan tila : Active

Muistityyppi : Volatile

Muistimuoto : DRAM

tekniikka : SDRAM - Mobile

Muistin koko : 128Mb (8M x 16)

Kellotaajuus : 133MHz

Kirjoita työkierron aika - sana, sivu : -

Kirjautumisaika : 6ns

Muistiliitäntä : Parallel

Jännite - syöttö : 2.3V ~ 2.7V

Käyttölämpötila : -40°C ~ 85°C (TA)

Asennustyyppi : Surface Mount

Paketti / asia : 54-TFBGA

Toimittajalaitteen paketti : 54-TFBGA (8x8)

Saatat myös olla kiinnostunut

CAV25M01YE-GT3

ON Semiconductor

IC EEPROM 1M SPI 10MHZ 8TSSOP. EEPROM 1 Mb SPI Serial CMOS EEPROM
W94AD2KBJX5E

Winbond Electronics

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz
W9864G2JB-6I

Winbond Electronics

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp
W632GG8MB12I

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.
W632GU8MB12I

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.
W632GU8MB15I

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.