Microsemi Corporation - APTCV60HM70RT3G

KEY Part #: K6533684

Perheluokat:: KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - IGBT - moduulit, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Diodit - Zener - Single, Tiristorit - SCR: t and Transistorit - erityistarkoitus ...

Kilpailuetu:: We specialize in Microsemi Corporation APTCV60HM70RT3G electronic components. APTCV60HM70RT3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTCV60HM70RT3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Osa numero : APTCV60HM70RT3G

Valmistaja : Microsemi Corporation

Kuvaus : POWER MOD FULL BRIDGE SP3

Sarja : -

Osan tila : Obsolete

IGBT-tyyppi : Trench Field Stop

kokoonpano : Full Bridge Inverter

Jännite - keräilijän jakajan jakauma (max) : 600V

Nykyinen - keräilijä (Ic) (max) : 50A

Teho - Max : 250W

Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 50A

Nykyinen - Keräilijän katkaisu (max) : 250µA

Syöttökapasiteetti (Cies) @ Vce : 3.15nF @ 25V

panos : Single Phase Bridge Rectifier

NTC-termistori : Yes

Käyttölämpötila : -40°C ~ 175°C (TJ)

Asennustyyppi : Chassis Mount

Paketti / asia : SP3

Toimittajalaitteen paketti : SP3

Saatat myös olla kiinnostunut

VS-GT175DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.
VS-CPV363M4KPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.
VS-GT100NA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.
VS-GT100LA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.
VS-GT100DA60U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 600V 184A 577W SOT-227.
VS-GT100DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.

Kuumat osat