PMEG2010ET,215 Hinnoittelu (USD) [772712kpl varastossa]
- 1 pcs$0.04787
- 3,000 pcs$0.04365
- 6,000 pcs$0.04100
- 15,000 pcs$0.03836
- 30,000 pcs$0.03527
- Osa numero:
- PMEG2010ET,215
- Valmistaja:
- Nexperia USA Inc.
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY 20V 1A
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Diodit - Zener - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Tiristorit - SCR-moduulit and Transistorit - IGBT - moduulit ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Nexperia USA Inc. PMEG2010ET,215 electronic components. PMEG2010ET,215 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMEG2010ET,215, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PMEG2010ET,215 Tuoteominaisuudet
Osa numero :
PMEG2010ET,215
Valmistaja :
Nexperia USA Inc.
Kuvaus :
DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOT23
Sarja :
-
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Schottky
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
20V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
1A (DC)
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
500mV @ 1A
Nopeus :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
-
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
200µA @ 20V
Kapasitanssi @ Vr, F :
80pF @ 1V, 1MHz
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Toimittajalaitteen paketti :
TO-236AB
Käyttölämpötila - liitos :
150°C (Max)
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
RGL34B-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
RGL34D-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
RGL34B-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
RGL34J-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM
-
BYM07-200-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 200 Volt
-
BYM07-100-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 100 Volt
Kuumat osat
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
- APT15D30KG
- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
- RU 1CV
- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18