Microsemi Corporation - UES1002

KEY Part #: K6440248

UES1002 Hinnoittelu (USD) [4470kpl varastossa]

  • 1 pcs$10.38255
  • 10 pcs$9.43742
  • 25 pcs$8.72968
  • 100 pcs$7.63050
  • 250 pcs$6.95723

Osa numero:
UES1002
Valmistaja:
Microsemi Corporation
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL. Rectifiers Rectifier
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Tiristorit - SCR: t, Tehonohjaimen moduulit, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF ...
Kilpailuetu:
We specialize in Microsemi Corporation UES1002 electronic components. UES1002 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UES1002, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UES1002 Tuoteominaisuudet

Osa numero : UES1002
Valmistaja : Microsemi Corporation
Kuvaus : DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL
Sarja : -
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 100V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 1A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 975mV @ 1A
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 25ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 2µA @ 100V
Kapasitanssi @ Vr, F : -
Asennustyyppi : Through Hole
Paketti / asia : A, Axial
Toimittajalaitteen paketti : -
Käyttölämpötila - liitos : -55°C ~ 175°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • IDB30E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A

  • IDB30E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263.

  • ES2AHM3/5BT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20NS,UF Rect,SMD

  • MBR20100

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 100V TO220AC.

  • IDD06E60BUMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 14.7A TO252.

  • IDP30E65D2XKSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 650V 60A TO220-2. Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS