Infineon Technologies - FF400R12KE3HOSA1

KEY Part #: K6532481

FF400R12KE3HOSA1 Hinnoittelu (USD) [573kpl varastossa]

  • 1 pcs$80.98891

Osa numero:
FF400R12KE3HOSA1
Valmistaja:
Infineon Technologies
Yksityiskohtainen kuvaus:
IGBT MODULE 1200V 400A.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Transistorit - IGBT - moduulit, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var and Transistorit - erityistarkoitus ...
Kilpailuetu:
We specialize in Infineon Technologies FF400R12KE3HOSA1 electronic components. FF400R12KE3HOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FF400R12KE3HOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FF400R12KE3HOSA1 Tuoteominaisuudet

Osa numero : FF400R12KE3HOSA1
Valmistaja : Infineon Technologies
Kuvaus : IGBT MODULE 1200V 400A
Sarja : C
Osan tila : Active
IGBT-tyyppi : Trench Field Stop
kokoonpano : Half Bridge
Jännite - keräilijän jakajan jakauma (max) : 1200V
Nykyinen - keräilijä (Ic) (max) : 580A
Teho - Max : 2000W
Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 400A
Nykyinen - Keräilijän katkaisu (max) : 5mA
Syöttökapasiteetti (Cies) @ Vce : 28nF @ 25V
panos : Standard
NTC-termistori : No
Käyttölämpötila : -40°C ~ 125°C (TJ)
Asennustyyppi : Chassis Mount
Paketti / asia : Module
Toimittajalaitteen paketti : Module

Saatat myös olla kiinnostunut
  • GA100SICP12-227

    GeneSiC Semiconductor

    SIC CO-PACK SJT/RECT 100A 1.2KV.

  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.