Osa numero :
IPP65R150CFDAAKSA1
Valmistaja :
Infineon Technologies
Kuvaus :
MOSFET N-CH 650V TO-220-3
Sarja :
Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
650V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
22.4A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
150 mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 900µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
86nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
2340pF @ 100V
Tehon hajautus (max) :
195.3W (Tc)
Käyttölämpötila :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Through Hole
Toimittajalaitteen paketti :
PG-TO220-3
Paketti / asia :
TO-220-3