Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-GT200TP065N

KEY Part #: K6533269

VS-GT200TP065N Hinnoittelu (USD) [810kpl varastossa]

  • 1 pcs$57.25217
  • 24 pcs$47.45463

Osa numero:
VS-GT200TP065N
Valmistaja:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Yksityiskohtainen kuvaus:
IGBT.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - Zener - Single, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Diodit - Zener - Arrays, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij and Diodit - RF ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GT200TP065N electronic components. VS-GT200TP065N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-GT200TP065N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-GT200TP065N Tuoteominaisuudet

Osa numero : VS-GT200TP065N
Valmistaja : Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus : IGBT
Sarja : -
Osan tila : Active
IGBT-tyyppi : Trench
kokoonpano : Half Bridge
Jännite - keräilijän jakajan jakauma (max) : 650V
Nykyinen - keräilijä (Ic) (max) : 221A
Teho - Max : 600W
Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic : 2.12V @ 15V, 200A
Nykyinen - Keräilijän katkaisu (max) : 60µA
Syöttökapasiteetti (Cies) @ Vce : -
panos : Standard
NTC-termistori : No
Käyttölämpötila : -40°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi : Chassis Mount
Paketti / asia : INT-A-Pak
Toimittajalaitteen paketti : INT-A-PAK

Saatat myös olla kiinnostunut
  • VS-ETL015Y120H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 22A 89W EMIPAK-2B. Rectifiers 15A Dbl Interleaved Boost Converter

  • VS-ETF150Y65U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • VS-ETF075Y60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B.

  • APT40GL120JU2

    Microsemi Corporation

    MOD IGBT 1200V 65A SOT-227.

  • APT85GR120JD60

    Microsemi Corporation

    IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP.

  • APTGT200DA60T3AG

    Microsemi Corporation

    MOD IGBT 600V 290A SP3.