Valmistaja :
GeneSiC Semiconductor
Kuvaus :
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A KBU
Diodin tyyppi :
Single Phase
Jännite - Peak Reverse (Max) :
800V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
8A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1V @ 8A
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
10µA @ 800V
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Through Hole
Paketti / asia :
4-SIP, KBU
Toimittajalaitteen paketti :
KBU